受託加工サービス_ 基板のエッジ／表面研磨

・ Mipox エッジポリッシャー ・受託研磨加工サービス ご紹介

Mipoxは約90年に渡り培ってきた独自の超精密研磨材の製造技術・品質管理技術・ プロセス開発技術を活かし、半導体を筆頭とする精密電子用途～3Dプリント造形物の表 面平滑化処理に至るまで、様々な素材・加工対象物に対し、研磨加工サービス（受託研 磨加工）を提供しております。

Mipox 受託研磨加工及び研磨装置のご提案 研磨のワンストップソリューション受注フロー Mipoxでは、研磨フィルムから液体研磨剤（スラリー）、研磨装置に至るまで幅広い研磨材を提供しております。 当社のサービスは研磨製品の提供のみならず、研磨品質の測定や受託研磨加工サービス、受託開発、研磨コンサルティ ングと、研磨に関するあらゆるニーズを網羅。 「研磨」分野のグローバルニッチトップとして、お客様のさまざまな声にお応えするワンストップソリューション企業 です。 無償サービス 有償サービス お問い合わせ 加工材料確認 加工ワーク 納品 ご相談（お打ち合 ご注文 加工実施 お見積り お預かり (Data Package) わせ） 研磨に関するあらゆるご相談をお受けしています！ Mipoxが蓄積してきた研磨に関するノウハウをお客様のために活用いたします。 SiC、GaNなどの難削材や新素材の研磨でお困りのお客様、当社の研磨コンサルティング室がご相談に応じます。 また、あらゆる形状のワークに対応できる研磨機を複数台揃えた「見える研磨ラボ」では、実際にお客様のワークで研磨の実演・実証を承っております。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

受託研磨加工対応内容一覧 プロセス 端面研磨加工 表面研磨加工 その他 検査 •エッジポリッシュ •仕上げポリッシュ •ダウンサイズ加工 •表面粗さ測定 •エッジトリミング •鏡面仕上げ •レーザーカット、刻印加 •結晶内部歪み観察 •トップエッジ研磨 •CMP 工 •膜厚測定 •グラインディング •シート抵抗 Mipoxでは、外形加工～切断、研削、研磨各工程に加え、全ての工程を「一括して」（ワンストップで）お受け致します。 加工対象材料 カテゴリ Si/化合物 テンプレート基板 ファインセラミックス 酸化物半導体 その他 Si GaNonSi AlN SUS各種 SiC GaNonSiC Si3N4 LiTaO3（LT）、 ハステロイ LiNbO3（LN）と接合 InP SiConSi SiC を行う各種基板 銅クラッド材 GaP SiConSiC Al2O3 金属材料各種 GaAs ZrO2 ガラス材料各種 材料 Ga2O3 BaTiO3 GaSb PZT ZnS Si ZnTe MgAl2O4 Al2O3/YAG共晶体 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工及び研磨装置のご提案 研磨フィルム式エッジ面取り・鏡面加工 TUNeDGE : SFF-200TX 140台以上の納入実績を誇るMipox Edge Polisherを小型化。 2~8インチ基板のベベル・オリフラ部研磨加工に対応。 SiCやGaNなどの難削材料、接合（貼りあわせ）基板、薄型基板など、多種多様のエッジ加工ニーズにお応えします。 Mipox Edge Polisher TUNeDGE SFF-200TX 概略仕様 Detail Spec 対応ウェーハサイズ Φ2インチ～8インチ 対応研磨フィルム 幅76.2mm×100m巻き 研磨フィルム送り速度 5～200mm/min 研磨ヘッド角度 -70°～＋90°※ウェーハサイズによる 電 源 三相 200～220V 50/60Hz 圧 空 (エアー） 0.5ｚMPa以上 真 空 (バキューム） -0.7ｋPa以上 水 圧 0.15MPa以上 寸法 （W ・Ｄ・Ｈ） W932.5×D1380×H1721 ・低ダメージ＋高レート ・端面部の異物/膜除去に最適 ・容易なユーティリティ接続、多様なベベル形状の成形が可能 ・エッジ部の鏡面研磨加工が可能 ・独自研磨方式が目詰まりによる 、加工レート低減を防止 ・ケミカルフリープロセス ・表面最外周部（トップエッジ）研磨対応 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 多結晶SiC（Poly-SiC）基板 結晶粒界段差解消 通常の研磨手法（ポリシング、CMP）では平滑化が難しいとされる多結晶（焼結体）セラミックス・複合材料等に対し、 Mipoxは独自に開発した自社製研磨材、及び研磨プロセスを駆使しワンランク上の表面を達成しております。 通常のポリシング、CMPを用いて Mipox（受託研磨加工）での 研磨加工した表面状態 研磨加工状態 Mipox研磨加工後 Poly-SiC 4” Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 SiN焼結体（多結晶）基板 外形加工～超平滑化表面処理まで 一貫した「ワンストップ加工サービス」 車載用・半導体製造装置部材等で用途が広がっているSiN焼結体について、その物性故外形加工～切断、研削、研磨 加工が難しいとされていますが、Mipoxは全ての工程を「一括して」（ワンストップで）お受け致します。 一般的な Mipox SiN焼結体 表面状態 超平滑化処理状態 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 Al2O3/YAG 複合材基板 超平滑化表面処理 一般的に結晶粒界段差が顕著となり平坦化（研磨加工）が困難とされる LED用Al2O3 / YAG 複合材基板について、 Mipoxは、多結晶AlN、SiC等と同様に段差やうねりを抑えスクラッチフリーの高品位な表面（平面度）を達成します。 Mipoxの超高精度表面研磨加工は、後工程に控える「接合」や「成膜」に対し優れた効果を発揮します。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 複合材セラミックス（SiC等）インゴット～基板化 Mipoxは各素材（結晶体）のインゴット～ウェハ化（基板化）まで一貫体制で御受け致します。中量生産～テスト （プロセス検討、試作開発）等の小ロットまで幅広い用途でご利用頂けます。 インゴット（複合材） Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 窒化アルミニウム（AlN）基板 超平滑化表面処理 高機能材料として 特に放熱特性に優れる窒化アルミニウム基板に対し、Mipoxは従来に無い超高精度の表面研磨加工 （粗さ精度）を提供しております。 結晶の脱落（抜け、穴）を抑え、かつ結晶粒界段差を極限まで低減させます。 AlN基板 Mipox 研磨前状態 研磨後状態 Mipoxの超高精度表面研磨加工は、後工程に控える「接合」や「成膜」に対し 優れた効果を発揮します。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 インチダウン（サイズダウン）加工 Mipoxは、各種基板のエッジ研磨加工（面取り加工）で特にご要望の多い「インチダウン（サイズダウン）」加工 サービスの取り扱いを開始致しました。 シリコンウェーハの他、各種化合物半導体ウェーハにも対応しています。 インチダウン加工例 SiC単結晶ウェーハ SiN膜付 シリコンウェーハ８” ⇒ 3” ×3枚 インチダウン状態 レーザー、ウォータージェット、砥石（ブレード、カップホイー ル）方式等、ご用途に適した切断方法をご選定頂けます。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 ハーフインチウェーハ Mipoxは、各種基板のサイズダウン加工やエッジ面取り加工の実績を活かし、ハーフインチサイズの ウェーハを取り扱っております。 https://www.mipox.co.jp/blog/2018/01/10/40 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 ナノインプリント用基板、GaNonSi等 エッジ/トップエッジ脱膜処理 研磨フィルム方式のエッジ処理プロセスは、ウェーハ表面（トップエッジ領域）のテラス形状形成、脱膜処理へ応用 することが可能です。 GaN on Si基板を使用するライン（製造方法）では標準的なプロセスとなっております。 トップエッジ研磨加工中 写真 トップエッジ研磨後（D600/2000 ⇒ D4000）研磨状態 トップエッジ部の研磨加工は、GaNonSiウェーハの他、SiC自立型基板製造時に発生する「エピクラウン（トップ エッジ部が盛り上がる現象）」の対策、ナノインプリント用ウェーハのエッジ処理、各種基板における接合工程の 安定性（接合率向上）を図るため等、多くの用途で適用頂いております。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 Au、Al等金属材料向け鏡面研磨・平坦化（CMP）加工 Mipox受託研磨は、一般的に高品位な研磨面を得ることが難しいとされている金（Au）やアルミニウム（Al）、 モリブデン（Mo）等の金属材料に対し、Ra 1nm以下の研磨加工を施す事が可能です。 特にAu、ルテニウム（Ru）については、 弊社が独自に開発した研磨工法を適用し、 半導体製造工程（配線工程）向けのCMP プロセスを確立している他、医療用センサ （バイオ用途）、マイクロマシン用等の 加工実績を多数蓄積しております。 他、一般的な用途としては、超硬合金（WC）製部品の研磨加工、 インクジェットノズル製造に用いられるSUS材の事例が多く、特に SUS材については厚さ数十μmの箔材をスクラッチフリーの鏡面に 仕上げられる研磨技術を有しております。 加工実績 材料（材質）名： SUS、Cu、Al、Au、Pt、Ru、Mo、Ni、Ag、Ti、W、Fe-Ni、他 Ni-P、Cr等メッキ表面 等 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 主な加工対象物：シリコンウェーハ 半導体や各種センサ等の製造に用いられるシリコンウェーハについて、Mipox受託研磨はプライムウェーハ製造の各工 程～デバイス製造（前工程・後工程）～リクレーム（再生）用途まで、各用途（各工程・ご要求）毎に自社製研磨材 を用いた独自の加工方法を中心に、様々なご要望に対応出来る体制を整えております。 ・シリコンウェーハ（プライム）製造用途 アズスライスウェーハへのチャンファー形成等の一般的な面取り加工用途から、CVD成膜後のエッジ不要膜除去（マ スキング処理＋HFエッチング代替）、ノッチ部の研削痕（ダメージ）除去、テラス形成加工等に対応しております。 特にエッジ部CMP（スラリー方式によるエッジミラー工程）負荷を大幅に軽減させる効果を得られる中間工程「研磨 フィルム式エッジポリッシュ」は多くの実績を有しており、量産でのご依頼に対応できる体制を整えております。 ・デバイス製造（前工程）用途 酸化膜（SiO2膜）、窒化膜（SiN）等の代表的な膜や、炭化珪素膜（SiC）、窒化ガリウム膜（GaN）、配線・プラグ に用いられる各種金属膜等を問わず、各成膜工程でエッジ部に堆積する不要膜を除去しプライムウェーハ同等のエッ ジ品質に復旧させることが可能です。 他、大口径サイズのウェーハからの切り出し（サイズダウン・インチダウン ）ウェーハの面取り形成、CMP前のエッジクリーニング、接合（接着）ウェーハの位置ずれ修正・ノッチ位置ずれ修 正加工等、半導体製造プロセスの様々な工程に対応しております。 デバイス保護（レジスト・保護膜形成）～エッ ジ研磨加工～洗浄までワンストップで対応致します。 ・デバイス製造（後工程）用途 保護フィルム（BGテープ）貼付け加工～薄化研削工程（BG）でのウェーハ破損防止に効果を発揮するエッジトリミン グ加工をはじめ、BG～洗浄～テープ剥離～ダイシング～トレー詰めに至るまで一貫してお受け致します。また、薄化 工程に用いられる無アルカリガラス製等のサポート基板のエッジ部修正（リペア）加工や、パワー半導体用途でのニ ーズが多いBG後のエッジ面取り（破損防止）加工も承っております Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 主な加工対象物：化合物半導体 発光デバイスや高周波（高速通信用）デバイス、電力変換デバイスに用いられるIII-V 族を中心とした化合物半導体 （一部の酸化物半導体材料の一部を含む）は、シリコン（Si）では達成出来ない多くの機能・性能を実現させる事が出 来る素材として期待されており、Mipox受託研磨においても近年依頼数が急増しております。 材料（材質）名： SiC、GaN、InP、GaP、GaAs、Ga2O3、GaSb、ZnS、ZnTe 等 ・エッジ研磨用途 Mipox受託研磨では、特にエピ膜成長時に問題となる端部欠陥の除去や、その影響軽減に効果を発揮するエッジ面取り 加工及びミラー処理を得意としております。 勿論、通常の大口径サイズのウェーハからの切り出し（サイズダウン ・インチダウン）～面取り加工も承っており、素材問わずウェーハへのダメージを最小限に抑える事が可能な研磨フ ィルム工法にて、少量から量産加工まで柔軟に対応致しております。 ・表面研磨（CMP）用途 通常のラッピング加工仕上げ～CMP（エピレディ）仕上げまで、御用途に合わせ最適な工法にてご要求の精度で対応 致します。ハーフインチ等の特殊形状基板や、小片やチップ形状（破損したウェーハ等）のCMP研磨加工にも対応致 します。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 主な加工対象物：テンプレート基板用途 SiConSi/SiC、GaNonSi/SiC等、基板上にGaN・SiCのヘテロエピタキシャル成長を施したテンプレート基板は、 大口径化が容易でありLEDやパワー半導体製造の大幅なコストダウンを図れるのみならず、 既存のSiデバイス製造ラインをそのまま流用出来る等多くのメリットを有する大変注目されている技術（基板）ですが 、そのメリットを享受するためには、テンプレート基板のエッジ部に付着した表層膜の除去が不可欠です。 Mipox受託研磨は各テンプレート基板に対し、繊細な表層（エピ）膜へ与える負荷を最小限に抑える事が可能な 研磨フィルム方式によるエッジ脱膜加工を行っており、基板（下地）露出、及び拡散層の除去を行う事で、 既存のSiデバイス製造ラインを汚染させることなく化合物半導体デバイス（ウェーハ）を流動頂くことが可能です。 材料（材質）名： GaNonSi、GaNonSiC、SiConSi、SiConSiC 等 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 主な加工対象物：ファインセラミックス（多結晶・焼結体・複合）材料 ファインセラミックスは放熱特性・靭性・等それぞれ特徴を有し、様々な用途で使われています。 Mipox受託研磨は、各ファインセラミックス素材に対し、最表面の結晶粒界段差を極限まで抑えた新たな次元の 表面精度（研磨面粗さ）を提供しております。通常の研磨加工では結晶粒界段差が助長され大きくなりやすい ファインセラミックス材料に対して、Ra 1～0.1nm（もしくはそれ以下）の精度を達成することが可能です。 これにより、異種材料との接合が容易になり、その組合せ次第で新たな機能・性能を備えたハイブリッド基板を創出 出来る他、後に控える成膜工程の負荷軽減（必要成膜量の低減）等、各素材の用途新規創出に貢献します。 材料（材質）名： AlN、Si3N4、SiC、Al2O3、ZrO2、BaTiO3、PZT、Si、MgAl2O4、Al2O3/YAG共晶体 等 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 主な加工対象物：酸化物半導体関連 LT（LiTaO3）、LN（LiNbO3）に代表される酸化物半導体は、SAWデバイスを代表とする高周波フィルターの 材料として著名であり、スマートフォン等の通信機器には不可欠な素材（デバイス）として、その生産量・ 出荷量共に急増している材料です。 Mipoxはこの将来有望なSAWデバイス市場に向けた取組みとして、従来のSAWデバイスが有する欠点 （温度変化によって通過帯域が移動してしまう）を補う事が出来、温度安定性に優れた次世代SAWデバイスの 実現に不可欠とされる「複合基板技術」に特化した対応を行っております。 LT、LNと接合する各材料（素材）に対し、複合化（接合）に耐える高精度表面を創出します。 材料（材質）名： LiTaO3（LT）、LiNbO3（LN）と接合を行う各種基板 等 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318

Mipox 受託研磨加工事例紹介 主な加工対象物：金属材料各種 Mipox受託研磨は、一般的に高品位な研磨面を得ることが難しいとされている金（Au）やアルミニウム（Al）、 モリブデン（Mo）等の金属材料に対し、Ra 1nm以下の研磨加工を施す事が可能です。 特にAu、ルテニウム（Ru）については、弊社が独自に開発した研磨工法を適用し、半導体製造工程（配線工程）向け のCMPプロセスを確立している他、医療用センサ（バイオ用途）、マイクロマシン用等の加工実績を多数蓄積して おります。 他、一般的な用途としては、超硬合金（WC）製部品の研磨加工、インクジェットノズル製造に用いられるSUS材の事 例が多く、特にSUS材については厚さ数十μmの箔材をスクラッチフリーの鏡面に仕上げられる研磨技術を有しており ます。 材料（材質）名： SUS、Cu、Al、Au、Pt、Ru、Mo、Ni、Ag、Ti、W、Fe-Ni、他Ni-P、Cr等メッキ表面 等 Mipox株式会社 〒163-0023東京都 新宿区 西新宿 6-11-3 Dタワー西新宿 16階 Wework内 代表TEL : 03-6911-2300 FAX : 03-6911-2318